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圖1。（a）x=0−0.2的(de)SGOC的(de)XRD圖譜。（b）Sc2O3的(de)晶(jing)體(ti)結構。（c）Sc2O3中Sc1和Sc2位點(dian)的(de)協調環境。（d）Rietveld對x=0的(de)SGOC進(jin)行了(le)改進(jin)。（e）x=0−0.2時SGOC的(de)晶(jing)格參數。（a）中的(de)星號符(fu)號表示Ga1.17Sc0.83O3雜質相的(de)衍(yan)射峰。
圖3。Cr K邊(bian)XANES光譜(pu)和（b）EXAFS光譜(pu)的Cr K邊(bian)k2加權傅里葉變(bian)換。
圖4。SGOC中Cr3+和Cr4+發光的溫度依賴性。溫度依賴性發射光譜為（a）Cr3+在473nm處激發時和（b）Cr4+在980nm處激發時，x=0.10。（c）x=0和0.10時fwhm的溫度依賴性。（d）x=0和0.10時Cr3+和Cr4+的總排放強度。紫色圓圈和綠點分別表示x=0和x=0.10中的Cr4+。青色圓圈和紅色圓點分別表示x=0和x=0.10中的Cr3+。實線表示使用公式（4和5）對實驗數據的擬合。x=0.10時（e）Cr3+和（f）Cr4+離子的構型坐標圖。
圖(tu)5。SGOC中(zhong)Cr3+和(he)(he)Cr4+發光(guang)的(de)(de)壓(ya)力(li)(li)依(yi)賴性，x=0.10。（a）473nm激(ji)發的(de)(de)Cr3+發射在不同壓(ya)力(li)(li)下的(de)(de)歸一(yi)化(hua)(hua)RT發射光(guang)譜。（b）相(xiang)變后的(de)(de)Cr3+發光(guang)。（c）用980nm激(ji)發的(de)(de)Cr4+發射在不同壓(ya)力(li)(li)下的(de)(de)歸一(yi)化(hua)(hua)RT發射光(guang)譜。（d）能(neng)量(liang)(liang)尺度中(zhong)與壓(ya)力(li)(li)相(xiang)關(guan)的(de)(de)排放變化(hua)(hua)。（e）相(xiang)變前Cr3+和(he)(he)Cr4+離子(zi)選定能(neng)級的(de)(de)壓(ya)力(li)(li)依(yi)賴性示(shi)意圖(tu)。黑色實線(xian)和(he)(he)灰色虛(xu)線(xian)與4 T2能(neng)級能(neng)量(liang)(liang)減少S有關(guan)?ω和(he)(he)2S?ω、 分別(bie)。
